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(240810) 원익IPS - (3)

 

Cryster series 600, Cryster series 600 (PI curing), Cryster series 800 (Oxide), PECVD, Polyimide(PI) curing, process window, 디스플레이 건식 식각장치, 원익IPS, 접지 마스크, 플렉서블 OLED 디바이스

 

 

Display

Cryster series 800 (Oxide)

Introduction.

Oxide TFT 공정장비는 대형 display 제조 공정 중에서 Backplane 기판 제조를 위한 열처리 공정에 특화된 장비입니다.

Technology.

이 장비는 산화물 열처리 공정에 특화된 장비로 특히 8세대급 이상의 대면적 기판을 균일하게 heat-up 할 수 있도록 IPS의 독창적인 glass in/out Door systems, quartz tube heater 와 배치 구조를 적용하였으며, 고 생산성을 위해 공정에서 기판을 즉시 loading 할 수 있는 flat 공정이 가능합니다.

Features.

1. Glass size : ~10.5G 2. Max temperature : ~500℃ 3. 대면적 Glass 에서도 매우 높은 온도 균일도를 유지할 수 있는 특수 제작된 설비 구조 4. 고생산성에 최적화된 특수 Ramp up/down 5. 고순도의 steam 상태가 유지 가능한 특수 Torch system (H2 + O2)

 

 

Cryster series 600 (PI curing)

Introduction.

PI curing 공정장비는 Flexible display 제조 공정 중에서 Flexible한 기판 구현을 위해 Polyimide(PI) curing 을 위한 열처리 공정에 특화된 장비입니다.

Technology.

이 장비는 저온에서 고온까지의 wide range 온도 대역을 구현하여 고객의 요구 공정 조건을 최적화 가능하며, IPS만의 독창적인 fast ramp up/down 기능을 적용하여 고 생산성을 실현하고 있습니다. 더불어, curing 공정 중 발생되는 by-product을 완벽하게 배출될 수 있도록 dynamic flow control system을적용하여 chamber내 부산물의 응축을 제어 및 방지할 수 있습니다.

Features.

1. Glass size : ~ 8G 2. Max. temperature ~ 500℃ 3. 매우 높은 온도 균일도를 제어할 수 있는 특수제작된 Front door 4. Maint 가 매우 쉬운 Full open 방식의 Rear door 5. 최적의 공정을 위한 균일한 Gas laminar flow 가 가능한 특수 제작된 Gas 주입 시스템 6. 빠른 승온과 빠른 냉각이 가능한 특수기술로 고생산성과 정밀 공정 구현 가능 FRP (Fast Ramping Process) 7. 원활한 Solvent 배출에 최적화된 특수 recipe 8. 극한의 Particle 억제에 특화된 내부 구조 9. 최적의 align 과 빠른 속도의 cooling 이 가능한 특수제작된 cooling stage

 

 

Cryster series 600

Introduction.

LTPS 공정장비는 AMOLED Rigid/Flexible 用 display 제조 공정중에서 Contact anneal, De-hydrogenation, Hydrogenation, Activation 등의 고온 열처리 공정에 특화된 장비입니다.

Technology.

이 장비는 저온에서 고온까지의 wide range 온도 대역을 구현하여 고객의 요구 공정 조건을 최적화 가능하며, IPS만의 독창적인 오염제어 및 정밀한 온도제어 가능하며, 고생산성을 위하여 fast ramp up/down 기능을 적용 실현하고 있습니다

Features.

1. Glass size : ~ 8G 2. Max. temperature ~ 500℃ 3. 매우 높은 온도 균일도를 제어할 수 있는 특수제작된 Front door 4. 최소의 O2 농도를 유지 및 제어 가능한 기술 5. Maint 가 매우 쉬운 Full open 방식의 Rear door 6. 최적의 공정을 위한 균일한 Gas laminar flow 가 가능한 특수 제작된 Gas 주입 시스템 7. 빠른 승온과 빠른 냉각이 가능한 특수기술로 고생산성과 정밀 공정 구현 가능 FRP (Fast Ramping Process) 8. 최적의 align 과 빠른 속도의 cooling 이 가능한 특수제작된 cooling stage

 

PECVD

Introduction.

PECVD 공정은 플렉서블 OLED 디바이스에서 수분 침투 방지를 위해 사용됩니다. IPS PECVD는 얇은 SiNx 박막을 증착 시키며 이는 플렉시블 OLED에 필요한 최적화된 광확 투과율과 박막 스트레스를 가지고 있으며 뛰어난 자체 세정 성능으로 고객사의 제작 비용을 절감할 수 있습니다

Technology.

PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) OLED가 플렉서블로 바뀌면서 TFE (thin film encapsulation)로 기존 글래스 기판 공정이 변경되었습니다. TFE 필름의 종류는 SiNx나 SiON 또는 SiO2이며, 플렉서블 디스플레이에 사용되기 때문에 박막의 스트레스가 중요합니다.

Features.

1. CCP plasma mode (13.56MHz) 2. Gen.5.5 ~ Gen.8 glass 3. SiNx, SiON, SiO2 film deposition 4. Film uniformity <3%, Deposition rate > 2500A/min 5. Optimized stress & transmittance 6. WVTR <E-6g/m^2day) 7.High in-situ cleaning rate 17,000A/min

 

 

Dry Etcher

Introduction.

디스플레이 건식 식각장치는 QD-OLED, AMOLED, 대형 LCD 패널 제조에서 기판에 원하는 패턴을 형성하는 핵심 공정 장비로서 고해상도 AM-OLED, OLED와 LCD용 LTPS 시장에 적극 대응하고 있습니다. 당사는 최적화된 시스템 통합 기술을 기반으로 경쟁사와 완전히 다른 차별화된 개념을 도입하여 우수한 공정 특성과 재현성을 보장하기 위해 개발해왔습니다. 관련 디스플레이 업계로부터 기술과 신뢰성으로 인정받은 원익IPS는 AMOLED와 LTPS 등 국내외에서 대형 디스플레이 패널 업계를 선도중에 있습니다.

Technology.

진공 챔버로 공정 가스를 투입하여 플라즈마로 하여금 물리적 또는 화학적 반응을 형성하여 필름 식각 공정을 진행 다중 건식 식각 공급 업체 (2세대 ~ 11세대) 모든 애플리케이션에 사용 가능한 다양한 process window (LCD , AM OLED LTPS, Oxide TFT) 우수한 식각률 및 균일성 (고유 안테나 설계 및 기존 존 제어) 뛰어난 생산성 (Anti - (ESD, Mura, Dint, ARC)) 안정성 (고가동 시간) 및 기술 지원

Features.

1. High etch rate & increased throughput 2. Higher PM Cycle by low power operation 3. Easy maintenance by unique chamber design 4. Unique arc management system 5. Advanced Paricle management system

 

 

Solar

R.I.E

Introduction.

RIE는 태양광 산업에서 웨이퍼 기판의 반사율을 낮추는데 사용됩니다. 당사의 RIE 장비는 다결정 웨이퍼 대량 생산 라인에서 사용되는 유일한 건식 식각 공정 장비입니다. 최근 IPS RIE 장비는 신규 플라즈마 기술 "접지 마스크"를 적용해 식각률을 1.5배로 늘리면서 습식 식각장비 대비 경쟁력을 확보했습니다. 머지않아 IPS RIE는 태양열 산업의 습식 식각 공정 장비를 대체할 것으로 예상하고 있습니다.

Technology.

RIE(반응 이온 식각) 건식 텍스처 식각 공정은 피라미드 모양 텍스처를 형성하여 태양광 웨이퍼 표면을 거칠게 만드는 공정입니다. 태양 전지 셀의 효율을 높이려면 더 큰 피라미드 모양의 텍스쳐가 필요합니다.

Features.

1. Planar CCP plasma mode(13.56MHz single RF) 2. 10*10 wafers(156mm*156mm) loading in a batch 3. High etching rate and uniformity by grounded mask 4. High uptime rate by cluster type system 5. High throughput by dual arm picking system

 

 

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