(240810) 원익IPS - (2) 사업개요 Semiconductor

 

 

(240810) 원익IPS - (2)

GEMINI ALD-Oxide, HYETA, HyEtaTM Spatial ALD, PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), SADP(Self-aligned Double Patterning), Semiconductor, Susceptor, WIDAS, 디바이스 노드, 원익IPS

 

 

 

사업개요

원익아이피에스는 차세대 IT제품의 상용화를 위해 반드시 해결해야 할
한계점을 극복하여 새로운 혁신적 장비를 제공하고 있습니다.

Semiconductor

4차 산업혁명기술을 도입한 반도체 장비 개발의 고도화에 원익아이피에스가 있습니다.
반도체 장비 산업은 반도체 회로설계, 웨이퍼의 제조 및 가공, 반도체 칩의 조립과 검사 등 반도체 소자를 생산하기 위하여 사용되는 제반 장비를 제조하는 산업입니다. 원익아이피에스는 반도체 제조공정 중 가장 어려운 기판 위에 회로를 만드는 공정 장비를 개발하고 있으며 박막형성을 위한 증착 장비를 주로 공급 하고 있습니다.
2014년에는 수요가 높아지고 있는 3D NAND Flash 분야의 핵심 생산 장비인 Mold 공정 설비를 양산화에 성공하였고, 2018년에는 10나노 공정의 DRAM High-K 시장 진입에 성공하였습니다.

 

WIDAS

 

ntroduction.

WIDAS는 WINAS의 확장 플랫폼으로써, 배치 당 처리 능력을 향상 시켰으며 더욱 향상된 핵심 Module 기술 (Heater, Robot, Controller)이 적용되어 우수한 공정 능력을 제공하고 있습니다.

Technology.

WINAS와 마찬가지로 뛰어난 온도 제어 기술 및 독창적이고 안정적인 Chamber 구조를 통하여 균일한 박막형성과 Particle 및 Metal Impuritiy 억제를 극대화 할 수 있습니다. 무엇보다도 WIDAS의 장점은 배치 당 생산성 능력을 극대화하여 장비 투자 및 유지 비용을 크게 절감할 수 있습니다.

Features.

- High productivity : up to 175 wafers per batch - High precision temperature / pressure control technology - Excellent film thickness uniformity (WiW, WtW & BtB) - Excellent step coverage (>95%) - Fast ramp up & down heater - Reliable mechtronics

 

NOA CVD

Introduction.

NOA는 다양한 금속 박막 공정을 통합 사용할 수 있는 유일한 고유 기능을 가지고 있습니다. 사용자 필요에 따라 NOA는 다양한 조건별로 플랫폼을 확장할 수 있으며 이는 Ti/TiN, Tungsten, Clean step 등을 단일 시스템으로 통합할 수 있는 확정성을 가지고 있습니다. 이를 통해 FAB 비용 및 공간을 절약할 수 있습니다. 기술 발전으로 점점 미세화 기술 노드로 이동하기 때문에 더욱 작은 contact, Via, WL 등 금속 배선을 균일하게 박막하는 것이 점점 어려워지고 있습니다. NOA는 기존 텅스텐 (W) 공정에 비해 불소 함량이 매우 낮고 저항성이 낮은 ALD-W 공정에 대한 솔루션을 제공합니다.

Technology.

NOA 시스템은 Contact, Via, Plug 등 금속 배선 공정에 필요한 Tungsten 박막을 증착하고 TiN (DRAM용 캐패시터 전극)과 Ti/TiN(DRAM/Logic/3D NAND용 Barrier 금속막)을 형성합니다. 디바이스 노드가 작아짐에 따라 기존 재래식 CVD-W 공정은 점점 더욱 어려워 지고있습니다. NOA 시스템은 하나의 장비에 여러 공정을 적용함으로서 통합적 공정이 가능합니다

Features.

1. High Throughput 2. Able to Configure In-line Process Modules For Optimum Integration 3. Higher UPEH with Smaller Footprint (6 to 10 Process Modules) 4. Excellent Reliability CVD 5. Excellent Step Coverage(TiTiN : @A/R 60:1) 6. Excellent Gap Fill Performance(SGW : Seamless gapfill Tungsten) 7. Lower Resistivity and Good Film Quality

 

 

QUANTA

 

 

Introduction.

Quanta System은 뛰어난 통합 공정 적응성과 박막 제어성으로 최신 3D NAND 디바이스 제조에 필요한 솔루션을 제공하도록 설계되었습니다. In-Situ 방식으로 결점 수를 최소화하여 뛰어난 박막의 스트레스와 거칠기 제어로 여러 다른 박막층을 번갈아 증착할 수 있습니다. 당사의 고유한 하드웨어 설계로 많은 생산이 가능하며 최종 사용자에게 탁월한 신뢰성과 향상된 가동 시간을 제공합니다.

Technology.

PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 3D NAND 제조 공정의 시작은 SiO2 및 SiN 필름과 같은 여러 층의 막을 교차하여 여러 층을 수직으로 증착합니다 . 각각의 얇은 박막층은 매우 균일하고 매끄러워야 하며 3D NAND 디바이스 밀도를 증가시키는 데 도움이 될 수 있는 후속 층에 잘 접착되어야 합니다. QUANTA 시스템은 박막 균일성, 표면 거칠기, WER 등 사용자가 여러 요인을 손쉽게 관리하고 조절을 함으로서 ON (Oxide/Nitride) 공정에 필요한 솔루션을 제공합니다. 당사의 QUANTA 시스템은 높은 웨이퍼 처리량과 고성능 3D NAND 디바이스 제조 솔루션을 제공합니다.

Features.

1. High Throughput 2. Excellent Integration Adaptability & Controllability →Stack & Single Stress, Thickness Profile (Center<->Edge ), WER(Wet Etch Rate) 3. Wide Process Tuning Knob →Gap, Pressure, Gas Ratio, Wide RF Window. 4. Extreme Stack Film Stability 5. System Performance Reliability 6. Simple Design for Easy Maintenance (High System Reliability & System Uptime) 7. Expanded RF Control Margin

 

GEMINI HQ

Introduction.

GEMINI CVD 시스템은 플라즈마를 이용한 화학증기 증착 기술을 사용하여 반사막 (Anti-Refective Coating) 및 하드마스크 (Hardmask)와 같은 유전막 필름을 형성하는데 사용됩니다. 당사의 PECVD 시스템은 우수한 균일도 성능을 제공합니다. 또한, GEMINI a-Si 박막은 20nm 노드 이하의 첨단 DRAM 및 Logic 디바이스에서 더블/쿼드로플 패터닝 (DPT/ QPT) 하드마스크 용도로 널리 사용됩니다.

Technology.

공정 미세화로 디바이스 노드가 축소됨에 따라 CD (Critical Dimensions) 영향으로 인해 장치 불량으로 이어질 수 있으므로 균일성 (uniformity)이 중요합니다. 반도체 소자 절연 기능을 구성하는 데 유전막이 후속 레이어에 영향을 미치기 때문에 매우 부드럽고 균일한 박막을 필요로 합니다. GEMINI PECVD 장비는 매우 뛰어나고 균일한 박막을 증착할 수 있는 것으로 잘 알려져 있습니다. 뛰어난 생산성을 제공할 뿐만 아니라 높은 웨이퍼 처리량으로 장비 유지 비용을 크게 절감할 수 있습니다.

Features.

- High Throughput - Extreme Thickness Uniformity (TEOS/SiON - <0.5%) - Excellent Tool Matching 　→ User Friendly New S/W, Distribution Control System, Ether-CAT - Process Reliability 　→ TCS, Precision Moving Assembly - Wide TEOS Process Window(Thin to Ultra High Thickness with ESC for Backside Deposition free)

 

 

GEMINI ALD (Kairos PE-ALD)

Introduction.

SADP와 SAQP와 같은 여러 패터닝을 증착하는 필름은 CD (Critical Dimension)을 형성하기에 이는 매우 중요한 역할을 합니다. GEMINI ALD SYSTEM은 매우 균일한 박막으로 다중 패터닝 애플리케이션을 위한 솔루션을 제공합니다. 작은 장비 면적과 높은 생산성(UPEH), 매우 뛰어난 균일성으로 여러 경쟁 모델보다 우수한 성능을 자랑합니다. 또한 웨이퍼 맵 프로필(map profile) 변경에서 다양한 Knob을 가지고 있으며 하드웨어 변경 없이 간편하게 공정 온도 변경이 가능합니다.

Technology.

High etch selectivity, smooth film surface, adjustable film stress are controled by composition rate .

Features.

1. Carefully designed chamber, swappable process kits and pumping system for minimal defect and easy maintenance. 2. Edge and backside control by edge flow and vacuum chucking system: Less edge defect and more DOF margin.

 

 

GEMINI ALD

Introduction.

SADP와 SAQP와 같은 여러 패터닝을 증착하는 필름은 CD (Critical Dimension)을 형성하기에 이는 매우 중요한 역할을 합니다. GEMINI ALD SYSTEM은 매우 균일한 박막으로 다중 패터닝 애플리케이션을 위한 솔루션을 제공합니다. 작은 장비 면적과 높은 생산성(UPEH), 매우 뛰어난 균일성으로 여러 경쟁 모델보다 우수한 성능을 자랑합니다. 또한 웨이퍼 맵 프로필(map profile) 변경에서 다양한 Knob을 가지고 있으며 하드웨어 변경 없이 간편하게 공정 온도 변경이 가능합니다.

Technology.

기기 노드가 점점 복잡해짐에 따라 더욱 많은 패터닝과 노광 스텝으로 인해 여러 제약사항이 발생하게 됩니다. GEMINI ALD-Oxide는 DRAM 및 Logic 디바이스 제조에 필요한 패터닝 스페이서를 사용하여 이러한 해결책을 제공합니다. GEMINI ALD 시스템은 SADP(Self-aligned Double Patterning) 및 SAQPSelf-aligned Quadruple Pattern) 용도에 사용됩니다.

Features.

1. High Throughput 2. Extreme Thickness Uniformity (ALD Oxide - <0.2%) 3. Excellent Tool Matching →User Friendly New S/W, Distribution Control System, Ether-CAT 4. Process Reliability →High Speed RF Matching, Precision Moving Assembly

 

 

HYETA

Introduction.

향후 기술 노드를 위한 지속적인 공정 미세화 시 등가산화물 두께 (Equivalent-Oxide-Thickness) 감소가 필요합니다. 이로인해 유전막의 EOT를 만족시키기 위해 HfO2, ZrO2 또는 Al2O3 유전체제와 같은 high-k 재료를 기기에 사용해 왔습니다. SGF (Seamless Gap-Fill)의 경우, 3D 아키텍처가 널리 채택됨에 따라 SOD와 유동성 있는 산화물과 같은 현재의 gap-fill 기술은 낮은 품질의 gap-fill 재료와 관련된 많은 문제에 직면합니다. HyEta ALD 시스템은 새로운 ALD 기술을 기반으로 하는 conformal한 박막으로 gap-fill뿐만 아니라 보편적인 박막증착을 위한 새로운 솔루션을 제공하도록 설계되었습니다.

Technology.

HyEtaTM Spatial ALD는 기존 ALD 공정에서 균일성과 매끄러운 갭 필(gap-fill)을 위해 추가 물질을 활용합니다. HyEta 장비는 공간 분할 컨셉으로 증착 공간이 분리되어 이는 서로 다른 공정가스가 혼합되지 않아 high-k 와 SGF (Seamless Gap-Fill)공정의 다양한 화학물질을 결함없이 사용 가능하게 합니다. 또한 HyEta ALD는 작은 공간에서 높은 생산성을 제공하기 위해 한 번에 6개의 웨이퍼를 처리하는 미니 바치 시스템을 적용했습니다. HyEtaTM Spatial ALD는 독립적 샤워 헤드와 이중 펌핑 시스템 컨셉으로 다양한 증착 공정과 용도에 최적화되어 있습니다. 당사의 특수 Susceptor, 히터 및 리드 온도 제어 시스템을 통해 300~700°C의 광범위한 온도에서 웨이퍼를 처리할 수 있으며 공정 제어와 다기능성을 제공합니다.

Features.

1. High Throughput 2. High RPM (240RPM) 3. High Process Temprature (HK_ZrO2 : <500℃ ,HK_AlO : <680℃ , SGF : <680℃) 4. Minimal Defect 5. Good Film Quality 6. Excellent Step Coverage @50:1, Hole Pattern 7. Excellent Gap Fill Performance: Void Free @130:1, Hole Pattern _SGF